
郝胜智,材料科学与工程学院教授,博士生导师。1990年-1994年,哈尔滨工业大学,金属材料及工艺系,本科;1994年-1994年,哈尔滨工业大学,现代焊接技术国家重点实验室,研究生;1996年-2000年,大连理工大学,三束材料改性国家重点实验室,研究生;2000年-至今,大连理工大学,三束材料改性国家重点实验室,副教授;2001年-2002年,法国南锡矿业大学,表面科学与工程实验室,博士后/访问学者;2006.06,法国梅兹大学,材料织构研究与应用实验室,普访;2008.06,法国梅兹大学,材料织构研究与应用实验室,高访从事强流脉冲电子束装置及材料表面改性技术研究,担任三束材料改性教育部重点实验室电子束方向负责人。发表科技论文100余篇,申报国家发明专利8项。
鞍山研究院《工业应用强流脉冲电子束装备设计与制造》项目负责人。
工业应用强流脉冲电子束装备的应用范围:强流脉冲电子束投射到金属材质表面,被金属的浅层吸收,高速电子的动能在碰撞过程中转化为系统的内能,使金属浅层的温度快速升高,发生相变、熔化甚至气化等物理过程;由于脉冲作用时间很短(~10-6s),脉冲结束之后,在金属基体的热传导作用下,金属表层又发生温度的快速降低;剧烈的升温降温过程使得金属晶粒细化,出现亚稳定晶相,金属表面的硬度、耐磨性、耐腐蚀性等得到显著提高。
电子束表面改性按照作用效果可细分为表面淬火(表面相变硬化)、表面熔覆、表面合金化、表面非晶化、冲击淬火、薄层退火、表面清洗等。适用于模具和机加行业常用的各类金属材质的工模具和具体产品的表面处理,尤其适用于对表面耐磨、耐蚀性能有特殊需求的小批量、非标准尺寸的工件处理。
强流脉冲电子束源专利3项:
(1)发明专利:一种脉冲型大束斑电子束发生装置,专利号:200910303238.0,专利权人:大连理工大学,发明人:郝胜智,董 闯;(授权)
(2)发明专利:一种脉冲潘宁放电大口径等离子体发生装置,申请号:201310019893.X,申请人:大连理工大学,发明人:郝胜智,李向南,彭艳芳,张艳龙;(实质审查生效)
(3)发明专利:一种可控进气的大电流高压触发开关,申请号:201310019239.9,申请人:大连理工大学,发明人:郝胜智,彭艳芳,李向南,杨文吉,孙晓宇;(实质审查生效)
强流脉冲电子束相关工艺开发专利4项:
(1)发明专利:一种提高热喷涂涂层耐高温盐腐蚀性能的处理方法,申请号:201310019236.5,申请人:大连理工大学,发明人:郝胜智,王慧慧,赵丽敏,贺冬云;(实质审查生效)
(2)发明专利:一种提高热喷涂涂层耐磨损性能的处理方法,申请号:201310019300.X,申请人:大连理工大学,发明人:郝胜智,王慧慧,赵丽敏,贺冬云;(实质审查生效)
(3)发明专利:一种沉淀硬化马氏体不锈钢表面合金化的处理方法,申请号:201310020491.1,申请人:大连理工大学,发明人:郝胜智,韩丹,王慧慧,赵丽敏;(实质审查生效)
(4)发明专利:一种去除硅材料表面杂质的方法,申请号:201310019237.X,申请人:大连理工大学,发明人:郝胜智,董闯,秦颖;(实质审查生效)
近期完成的各类科研和企事业委托项目投资:
1. 国家自然科学基金,基于潘宁放电等离子体阳极的强流脉冲电子束源的研制,11075028,2011-01至2013-12。
2. 国家自然科学基金国际(地区)交流项目,铁基材料表面电子、离子及等离子体合金化的工艺与机理研究,10911120085,2009-01至2010-12。
3. 国家高技术研究发展863计划课题,用于模具抛光的强流脉冲电子束新工艺,2006AA03Z110,2006-12至2008-11。
4. 西安航天动力研究所,电子束材料表面处理研究及工业应用探索,201002167,2010-04至2011-12。
5. 四川材料与工艺研究所,强流脉冲电子及电源,2011-01至2012-07。
6. 江苏大学,强流脉冲电子束装置,2013-06至2014-02。
7. 东北大学,强流脉冲电子束装置,XMZB019-02,2011-01至2011-12。
8. 大连理工大学常州研究院,强流脉冲电子束材料表面改性系统,2012-01至2013-12。