发明专利名称：

公开(公告)号：

 CN101045611

公开(公告)日：

 2007.10.03

主分类号：

 C03C17/245(2006.01)I

分案原申请号：

分类号：

 C03C17/245(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/40(2006.01)I;C01G23/07(2006.01)I;B01J21/06(2006.01)I;B01J37/00(2006.01)I

授权公告日：

 2010.01.20

优先权：

申请(专利权)人：

 大连理工大学（物理与光电工程学院）

地址：

 116024辽宁省大连市甘井子区凌工路2号

发明(设计)人：

 朱爱民;丁天英;石 川;徐 勇

国际申请：

国际公布：

进入国家日期：

专利代理机构/代理人：

 大连理工大学专利中心/侯明远;李宝元

法律状态：

 授权

一种常温常压下等离子体化学气相沉积制备纳米晶TiO₂薄膜的方法，其特征是采用共面式介质阻挡放电，在基体与绝缘介质之间的短间隙产生薄层等离子体，TiCl₄蒸气与氧气在薄层等离子体区反应并沉积到基体上，在常温常压下直接制得具有光催化活性的纳米晶TiO₂薄膜。薄膜由20～30nm的晶粒组成，晶粒具有以锐钛矿相为主、仅含有少量金红石相的混晶结构。采用的基体与绝缘介质之间的短间隙距离为0.1～3mm，气体总流速为0.1～2m/s，TiCl₄与O₂的摩尔比为0.005～0.5。采用交流高压电源，其频率范围为50Hz-10kHz。本方法的效果和益处是该制备方法在常温常压下进行，具有装置简单、能耗低和薄膜沉积速率快的特点，适合于各种材质的基体，尤其适合于不耐热的有机高分子基体材料。